InN prielom v elektronike tuhej fázy
Výzva | Matching granty ku zdrojom získaným v rámci programu Horizont 2020 a Horizont Európa |
---|---|
Hlavný riešiteľ | Ján Kuzmík |
Prijímateľ | Elektrotechnický ústav SAV |
Celkový rozpočet | 174 965,31 € |
Príspevok poskytovateľa | 174 965,31 € |
Zdroj financovania | Plán obnovy a odolnosti |
Začiatok realizácie | november 2023 |
Koniec realizácie | jún 2026 |
Anotácia
Projekt InBreak nadväzuje na pôvodný horizontový projekt NANOMAT.Cieľom NANOMATu je inaugurovať a založiť novú doménu „Flexibilnej (konformnej) výkonovej RF nanoelektroniky“ prostredníctvom ambicióznej inovatívnej heterogénnej technologickej platformy zahŕňajúcej elektroniku na organickej báze a chladiče, polovodičové monolitické mikrovlnné integrované obvody so širokým pásmovým rozdielom (MMIC), rádiofrekvenčné mikroelektromechanické akčné členy (RF MEMS) a akustické senzory. V projekte InBreak bude InN ako jedinečný polovodičový materiál rásť ako plne namáhaný kanál na navrhnutej prispôsobenej vyrovnávacej vrstve InAlN s polaritou N. Očakávame koherentný rast a teoreticky predpovedaný výkon HEMT InN kanála. V projekte bude teda konvenčný GaN buffer nahradený uvoľneným InAlN s In molárnou frakciou 0,7-0,9. Očakávame, že tento prístup v kombinácii s tenkou GaN medzivrstvou medzi InAlN bariérou a InN kanálom povedie k vynikajúcemu zadržaniu 2-rozmerného elektrónového plynu (2DEG) s vysokou hustotou v epi-štruktúrach. Splnenie projektu umožní dosiahnutie podstatne vyšších pracovných frekvencií s potenciálom prechodu na technológiu 6G v (sub)THz pásme.