Preskočiť na hlavný obsah
SK

Doména gov.sk je oficiálna

Toto je oficiálna webová stránka orgánu verejnej moci Slovenskej republiky. Oficiálne stránky využívajú najmä doménu gov.sk. Odkazy na jednotlivé webové sídla orgánov verejnej moci nájdete na tomto odkaze.

Táto stránka je zabezpečená

Buďte pozorní a vždy sa uistite, že zdieľate informácie iba cez zabezpečenú webovú stránku verejnej správy SR. Zabezpečená stránka vždy začína https:// pred názvom domény webového sídla.

Táto stránka je vo vývoji. Napíšte nám váš postreh.

  1. Domov
  2. Podporené projekty
  3. Vývoj jednomolekulových magnetov a spin crossover komplexov: nová generávia svetlom laditeľných magnetických prepínačov pre depozície na povrchy

Vývoj jednomolekulových magnetov a spin crossover komplexov: nová generávia svetlom laditeľných magnetických prepínačov pre depozície na povrchy

VýzvaVeľké projekty pre excelentných výskumníkov 2024
Hlavný riešiteľIvan Šalitroš
PrijímateľSlovenská technická univerzita v Bratislave
Celkový rozpočet2 998 705,44 €
Príspevok poskytovateľa2 646 281,20 €
Zdroj financovaniaPlán obnovy a odolnosti
Doména RISInovatívny priemysel pre 21. storočie
Začiatok realizáciejanuár 2024
Koniec realizáciejún 2026

Kľúčové slová

Nanophysics: nanoelectronics, nanophotonics, nanomagnetism, nanoelectromechanics, etc., Surface modification, Single Ion Magnets, Spin Crossover

Anotácia

Hlavným cieľom projektu PHOTOSURFMAGNET je poskytnúť experimentálny dôkaz koncepcie, že funkčné a štruktúrované povrchy s magnetickými vlastnosťami nanášaných materiálov možno reverzibilne prepínať pomocou svetla. Laboratórne overenie tejto myšlienky prinesie lepšie pochopenie správania sa magneticky bistabilných jednoiónových magnetov (SIMs) a spin crossover (SCO) komplexov na povrchoch, čo umožní priamu aplikáciu SCO a SIM materiálov pri konštrukcii vysokokapacitných pamäťových zariadení. Výstupy projektu tak prispejú k riešeniu súčasných pamäťových zariadení s obmedzenou kapacitou, uchovávajúce informácie v magnetických doménach. Navrhované SCO a SIM materiály a ich povrchy umožnia ukladanie informácií na molekulovej úrovni. Táto inovácia povedie k výrobe pamäťových nosičov s povrchovou plochou schopnou zaznamenať približne 106-krát viac informácií ako súčasné zariadenia využívajúce magnetickú bistabilitu feromagnetických materiálov.